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3月23日，中科院合肥研究院承擔的STS重點項目“大功率集成電路封測技術(shù)與應用示范”啟動會在應用技術(shù)所召開。來自寧波諾丁漢大學、中科院半導體所、云南大學等單位的7名專家組成員，項目負責人及骨干成員近三十人參加會議。啟動會由中科院合肥研究院科發(fā)處鄧國慶處長主持。

 
“大功率集成電路封測技術(shù)與應用示范”項目由中科院合肥物質(zhì)科學研究院作為牽頭單位，中科院半導體研究所，中科院微電子研究所，中科院上海硅酸鹽研究所，中科院深圳先進技術(shù)研究院，中科院光電技術(shù)研究院作為參與單位共同承擔。該項目旨在開展先進熱管理材料與典型器件封裝技術(shù)的應用示范研究，顯著提升電子封裝材料的熱管理效能，形成包括新型聚合物基、陶瓷基等若干新材料體系及其規(guī)模化制備技術(shù)；實現(xiàn)IGBT和MOSFET兩類典型汽車功率芯片熱點處溫度顯著降低，建立貫穿設(shè)計制備、器件集成、服役評價的全鏈條共性的服務平臺，推動新型熱管理材料和封裝技術(shù)在集成電路核心器件中的應用和產(chǎn)業(yè)化示范。
 
會上，中科院科技促進發(fā)展局付廣義處長介紹了STS項目的來源、背景以及項目實施的必要性、重要性，指出大功率器件的散熱是集成電路領(lǐng)域的“卡脖子”問題之一，希望通過該項目實施，提升我國核心器件的自主研發(fā)能力。
 
項目負責人田興友研究員匯報了項目的研究背景及目標、研究內(nèi)容與實施方案、項目預期成果等，并就項目管理、經(jīng)費使用等提出了具體要求。本項目旨在實現(xiàn)集成電路熱管理材料的規(guī)模化制備，帶動相關(guān)封裝工藝與測試技術(shù)的發(fā)展與變革，服務于以IGBT為典型的大功率器件封測領(lǐng)域，系統(tǒng)解決大功率器件的散熱瓶頸問題。
 
專家組在認真聽取匯報后，一致認為該項目目標明確，考核指標清晰，任務設(shè)計合理，實施方案可行，希望課題組在項目實施過程中加強各承擔單位間的緊密合作與協(xié)同研究，并加強與下游骨干企業(yè)的合作，以促進研發(fā)成果得到真正有效應用。專家組還提出了相關(guān)具體的指導意見和要求。此次會議明確了項目管理要求，討論修訂了項目組織管理辦法，完善了項目具體實施方案等，對項目的順利實施起到了重要的推動作用，具有重要意義。
 
(原文標題：大功率集成電路封測技術(shù)與應用示范項目啟動)
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